三星電子15日表示，從今年開始全體Nand閃存生産量中的一半以上將集中在第4代V Nand上面。Nand閃存作爲存儲器半導體芯片的一種，它與Dram有著很大的不同，其具有即使電源被切斷也能存儲數據的特點。因此，其主要用于智能手機等移動設備和新一代大容量儲存裝置固態硬盤(SSD)等。三星電子計劃大幅擴大服務器、個人電腦等第4代V Nand應用産品群。
三星電子方面表示，“目前正在向1月有限供應給全球B2B (企業間的交易)顧客的第4代256Gb V Nand，消費者用SSD、存儲卡等方面進行全面擴展，生産比重也將大幅增加，以應對全球需求的增加。”
目前“全球半導體市場的大勢是Nand閃存”，這一點毫無爭議。這是因爲可穿戴式、大數據、物聯網(IoT)、自動駕駛汽車等被稱爲第4次産業革命時代的主要關鍵詞的新技術都需要相當數量的半導體。全球半導體企業們爭先恐後地把新産品從Dram改成Nand閃存也是處于這個原因。
半導體業界有關人士表示，“從今年開始半導體業界將進入意味著超長期繁榮的‘超級周期(Super Cycle)’，存儲器半導體需求將大幅增加，Nand閃存的增長勢頭是獨一無二的。”據市場調查機構HIS Market透露，截止到2020年，Nand閃存市場將呈現急劇增長的趨勢，年均增長或將達到6.1%。三星電子通過批量生産第4代256Gb V Nand，有望進一步拉大與東芝、威騰電子等競爭企業之間的技術差距。
三星電子V Nand儲存信息的空間Cell采用的是垂直積累而非平面的方式。我們只要想想與在同樣的空間建造幾棟獨立住宅相比、建造一棟樓反而能提高儲藏效率，便容易理解。只是單數越高整體結構可能會被掀翻或最高層和最低層Cell之間出現特點差異等問題發生時，就必須以強大的技術爲支撐。
三星電子強調稱，“使用了‘超高級集成Cell結構•工程’‘超高速動作電路設計’等技術，與現有的第3代産品相比，速度和生産效率、電力等全都提高了30%以上。”
據悉，三星電子將在最快從本月末開始全面啓動的京畿平澤半導體工廠內開始批量生産第4代256Gb V Nand。三星電子2年間投資約15.6萬億韓元的該工廠，占地面積爲289萬平方米(約87.4萬坪)，相當于400個足球場加起來這麽大。這是有史以來最大的單一半導體生産線規模。目前生産線正處于試運行階段。
三星電子存儲器事業部閃存開發室庚桂賢副社長表示，“爲了將可以在一個半導體芯片上儲存1萬億個以上信息的‘1 Tera bit V Nand’時代提前，全部職員正專注于創新技術的開發。”
徐東一 dong@donga.com
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