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SK海力士在世界上首次成功开发出96层堆积“4D闪存”

SK海力士在世界上首次成功开发出96层堆积“4D闪存”

Posted November. 05, 2018 07:43   

Updated November. 05, 2018 07:43

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SK海力士4日对外宣布,公司已成功开发出了比现有3D NAND-Flash(闪存)储存器半导体产品更先进的“4D闪存”。将主要应用于3D闪存的CTF结构与PUC技术相结合,并在世界上首次开发出了96层堆积512Gb(千兆位)级TLC(Triple Level Cell,三层单元格)4D闪存。“CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型)”是通过将存储单元之间的干扰最小化,从而改善性能和生产效率的技术;PUC(Peri.Circuits,外围电路)是部署在掌管数据存储存储单元领域下层存储单元运转的外围电路的技术。目前大部分企业都在3D闪存上采用了CTF技术,但在这里SK海力士是第一次引进PUC技术。

 通过这一技术,与现有的72层堆积3D闪存产品相比,此次开发的4D闪存芯片的大小减少了30%以上,而每晶片的生产效率则增加了1.5倍。1片4D闪存芯片可以替代现有的两块256Gb 3D闪存产品,因此可以降低生产成本。可以同时处理数据的水准处于业界最高水平(64kB,千字节),使用和阅读性能也比72层堆积产品分别提高了30%和25%。

 SK海力士计划在今年内推出内置此次开发的4D闪存产品的1TB (万亿字节)容量的消费者用SSD(Solid State Drives,固态硬盘)。明年将把目前以72层堆积为基础的企业用固态硬盘转换成96层堆积。


申東秦 shine@donga.com