Go to contents

THE DONG-A ILBO Logo

三星电子为巩固半导体市场第一的位置正式量产“第4代V Nand闪存”

三星电子为巩固半导体市场第一的位置正式量产“第4代V Nand闪存”

Posted June. 16, 2017 07:16,   

Updated June. 16, 2017 07:39

한국어

三星电子为巩固半导体市场第一的位置正式量产“第4代V Nand闪存”
在全球Nand闪存市场上遥遥领先的三星电子正式开始批量生产“第4代256Gb 3bit V Nand闪存。这是三星为了巩固市场第一的位置而采取的行动。

 三星电子15日表示,从今年开始全体Nand闪存生产量中的一半以上将集中在第4代V Nand上面。Nand闪存作为存储器半导体芯片的一种,它与Dram有着很大的不同,其具有即使电源被切断也能存储数据的特点。因此,其主要用于智能手机等移动设备和新一代大容量储存装置固态硬盘(SSD)等。三星电子计划大幅扩大服务器、个人电脑等第4代V Nand应用产品群。

 三星电子方面表示,“目前正在向1月有限供应给全球B2B (企业间的交易)顾客的第4代256Gb V Nand,消费者用SSD、存储卡等方面进行全面扩展,生产比重也将大幅增加,以应对全球需求的增加。”

 目前“全球半导体市场的大势是Nand闪存”,这一点毫无争议。这是因为可穿戴式、大数据、物联网(IoT)、自动驾驶汽车等被称为第4次产业革命时代的主要关键词的新技术都需要相当数量的半导体。全球半导体企业们争先恐后地把新产品从Dram改成Nand闪存也是处于这个原因。

 半导体业界有关人士表示,“从今年开始半导体业界将进入意味着超长期繁荣的‘超级周期(Super Cycle)’,存储器半导体需求将大幅增加,Nand闪存的增长势头是独一无二的。”据市场调查机构HIS Market透露,截止到2020年,Nand闪存市场将呈现急剧增长的趋势,年均增长或将达到6.1%。三星电子通过批量生产第4代256Gb V Nand,有望进一步拉大与东芝、威腾电子等竞争企业之间的技术差距。

 三星电子V Nand储存信息的空间Cell采用的是垂直积累而非平面的方式。我们只要想想与在同样的空间建造几栋独立住宅相比、建造一栋楼反而能提高储藏效率,便容易理解。只是单数越高整体结构可能会被掀翻或最高层和最低层Cell之间出现特点差异等问题发生时,就必须以强大的技术为支撑。

 三星电子强调称,“使用了‘超高级集成Cell结构•工程’‘超高速动作电路设计’等技术,与现有的第3代产品相比,速度和生产效率、电力等全都提高了30%以上。”

 据悉,三星电子将在最快从本月末开始全面启动的京畿平泽半导体工厂内开始批量生产第4代256Gb V Nand。三星电子2年间投资约15.6万亿韩元的该工厂,占地面积为289万平方米(约87.4万坪),相当于400个足球场加起来这么大。这是有史以来最大的单一半导体生产线规模。目前生产线正处于试运行阶段。

 三星电子存储器事业部闪存开发室庚桂贤副社长表示,“为了将可以在一个半导体芯片上储存1万亿个以上信息的‘1 Tera bit V Nand’时代提前,全部职员正专注于创新技术的开发。”



徐東一 dong@donga.com